芯片板塊午后拉升，截至14:40，上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)上漲3.8%，上證科創(chuàng)板芯片設計主題指數(shù)上漲3.4%。

有觀點認為，當下，全球存儲芯片市場正經歷一輪由AI算力需求引發(fā)的結構性漲價，本輪漲價的底層邏輯是人工智能對存儲資源的系統(tǒng)性“虹吸”疊加供給端產能調整形成的雙重擠壓。

從價格走勢看，本輪漲價的幅度與速度均超出市場預期。TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2026年第二季度通用型DRAM合約價格預計環(huán)比上漲58%至63%，NAND閃存合約價格環(huán)比上漲70%至75%。而在2026年第一季度，DRAM合約價漲幅已被上修至90%至95%，NAND漲幅被上修至55%至60%。機構普遍認為，AI算力需求拉動、國產化率提升與價格上漲形成共振，為存儲芯片產業(yè)鏈相關企業(yè)帶來了投資機遇。

科創(chuàng)芯片ETF易方達（589130，聯(lián)接A/C：020670/020671）跟蹤上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)，全面覆蓋科創(chuàng)板芯片產業(yè)鏈；科創(chuàng)芯片設計ETF易方達（589030）跟蹤上證科創(chuàng)板芯片設計主題指數(shù)，數(shù)字芯片設計和模擬芯片設計合計占比近95%，更直接受益于AI芯片需求爆發(fā)，助力投資者把握此輪漲價潮下芯片產業(yè)鏈投資機會。